LED铝基板主要用作LED模片与系统电路板之间的热能输出介质，并通过丝键合、共晶或倒装等过程与LED模片结合。基于散热的考虑，市场上LED铝基板主要为陶瓷基板。电路制备方法大致可分为厚膜陶瓷基板、低温共烧多层陶瓷基板和薄膜陶瓷基板三种。

在传统大功率LED元件中，通常采用厚膜或低温共烧陶瓷基板作为模具散热基板，然后通过金丝键合将LED模与陶瓷基板结合。这种金线连接限制了沿电极接触热损失的有效性。因而国内外大厂无不朝向解决此问题而努力。

有两种解决方案。一种是找到基质材料具有高散热系数代替氧化铝，包括硅基质、碳化硅基板、阳极电镀铝基板或氮化铝基板，硅和碳化硅衬底材料是半导体的特点使其遇到严峻的考验在这一阶段，和阳极电镀铝衬底容易传导由于开裂是由于氧化阳极氧化膜层的强度不足，这限制了它的实际应用。因此，现阶段较为成熟和普遍接受的是使用氮化铝作为散热基材。

然而，它目前的限制是，氮化铝衬底不适合传统的厚膜工艺(材料必须经过850℃的大气热处理后，银胶印造成材料的可靠性问题)。所以，氮化铝基板电路需要制备薄膜。准备的氮化铝衬底薄膜过程大大加速了死的热量的效率通过衬底材料系统电路板，从而大大减少了负担，导致死亡的热量通过金属丝系统电路板，从而实现高散热效果。

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